在半導體芯片制造、光刻工藝等精密加工場景中，抗蝕劑臺階高度的精準測量直接決定了電路圖案轉(zhuǎn)移精度、蝕刻工藝穩(wěn)定性，進而影響產(chǎn)品良率與生產(chǎn)成本。NS系列抗蝕劑臺階高度儀（搭載LVDC線性可變差動電容傳感器）以亞埃級分辨率檢測抗蝕劑材料，一站式解決批量檢測效率低、數(shù)據(jù)偏差大、適配性不足等行業(yè)痛點。

一、核心優(yōu)勢

1.亞埃級精度，數(shù)據(jù)零偏差

13μm量程下實現(xiàn)0.01埃分辨率，5?超高解析力，精準捕捉抗蝕劑臺階從納米級到1050μm的細微形貌，匹配光刻膠、抗蝕劑等精密材料的測量要求，為工藝調(diào)整提供可靠數(shù)據(jù)支撐。

2.工藝深度適配，測量無限制

兼容光刻、蝕刻、沉積、CMP等半導體核心工藝，可精準量化抗蝕劑涂覆、顯影、蝕刻后的臺階高度變化，不受抗蝕劑材料硬度、反射率影響，適配不同型號光刻膠檢測需求。

3.批量高效檢測，降本增效

支持多區(qū)域陣列式測量，批量芯片一鍵完成多點位檢測，搭配SPC統(tǒng)計分析功能，直觀呈現(xiàn)數(shù)據(jù)變化趨勢，減少人工干預(yù)，檢測效率提升30%以上，助力精益生產(chǎn)。

4.操作智能便捷，降低使用門檻

500W像素雙導航光學影像系統(tǒng)（正視+斜視可選），精準規(guī)劃掃描路徑、實時跟進軌跡，避免抗蝕劑細微結(jié)構(gòu)測量偏差；磁吸式快速換針設(shè)計，現(xiàn)場秒級更換測針+軟件快速標定，保障檢測連續(xù)性與重復性。

二、核心功能（針對抗蝕劑測量場景）

1.精準參數(shù)測量，覆蓋工藝全流程

（1）抗蝕劑臺階高度：精準測量納米至1050μm范圍的臺階高度，量化光刻膠涂覆厚度、顯影后殘留高度、蝕刻后臺階落差，保障電路圖案轉(zhuǎn)移精度。

（2）表面粗糙度輔助分析：同步獲取Ra、Rz等數(shù)十項粗糙度參數(shù)，評估抗蝕劑表面均勻性，避免因表面缺陷影響后續(xù)工藝效果。

（3）多維度數(shù)據(jù)互補：可選配應(yīng)力測量功能，輔助分析抗蝕劑涂覆后的表面應(yīng)力分布，為工藝優(yōu)化提供全面數(shù)據(jù)。

2.智能測量模式，適配不同檢測場景

（1）單區(qū)域快速檢測：針對研發(fā)樣品、小批量測試件，影像導航定位后一鍵啟動，快速完成單點精準測量，縮短研發(fā)周期。

（2）多區(qū)域批量檢測：針對量產(chǎn)芯片，按橫向/縱向距離陣列設(shè)置掃描路徑，一鍵完成整批樣品多點位檢測，減少重復操作。

（3）3D可視化呈現(xiàn)：自動完成抗蝕劑表面掃描與3D圖像重建，細微臺階結(jié)構(gòu)直觀可溯，便于排查工藝異常。

（4）SPC統(tǒng)計分析：生成批量檢測數(shù)據(jù)趨勢圖表，支持質(zhì)量追溯與工藝偏差預(yù)警，助力穩(wěn)定量產(chǎn)良率。

三、核心應(yīng)用場景（聚焦半導體核心工藝）

1.半導體芯片制造：光刻膠涂覆厚度檢測、顯影后臺階高度分析、蝕刻工藝臺階落差測量、CMP后抗蝕劑殘留高度管控。

2.*封裝工藝：封裝過程中抗蝕劑輔助層臺階高度檢測，保障封裝精度。

3.MEMS器件制造：MEMS結(jié)構(gòu)中抗蝕劑犧牲層臺階高度測量，支撐微型器件研發(fā)與量產(chǎn)。

4.科研與高校：光刻工藝研發(fā)、新型抗蝕劑材料性能測試，提供精準數(shù)據(jù)支撐。

（注：產(chǎn)品參數(shù)與功能將隨技術(shù)升級持續(xù)優(yōu)化，具體以實際溝通為準）

NS系列抗蝕劑臺階高度儀以“精準、高效、適配、智能"為核心，匹配半導體行業(yè)抗蝕劑測量需求。如需了解產(chǎn)品詳細參數(shù)、申請樣品測試，或針對您的光刻工藝定制專屬檢測方案，歡迎隨時聯(lián)系中圖儀器。